Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - FET:t, MOSFET:t - Ryhmät  /  onsemi FDG6308P

FDG6308P

Active Icon Active - MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
FDG6308P
FDG6308P
onsemi
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
 
3D Model Icon

FDG6308P Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Valmistaja
Sarja
PowerTrench
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tuotteen Tila
Active
FET-tyyppi
2 P-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
600mA
Rds päällä (max) @ id, vgs
400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
153pF @ 10V
Teho - Max
300mW
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Toimittajan laitepaketti
SC-88 (SC-70-6)

FDG6308P Varasto: 17200

Historia Hinta
$0.55000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

FDG6308P Liittyvät osat

FDG6313N
FDG6304P-F169
FDG6332C-PG
FDG6303N
FDG6306P
FDG6320C_D87Z
FDG8842CZ
FDG8850NZ
FDG1024NZ
FDG6301N
FDG6301N-F085
FDG6301N-F085P
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *