FDMC2610
Active - MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
FDMC2610 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta), 9.5A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
200mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
960 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-MLP (3.3x3.3)
Paketti / Kotelo
8-PowerWDFN
