FDMD8680
Active - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Kuvaus:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
FDMD8680 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
80V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
66A (Tc)
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
5330pF @ 40V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-PowerWDFN
Toimittajan laitepaketti
8-Power 5x6
.jpg)
