FDMS8090
Active - MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
FDMS8090 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
10A
Rds päällä (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1800pF @ 50V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-PowerWDFN
Toimittajan laitepaketti
8-MLP (5x6), Power56
