FDMS86101
Active - MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
FDMS86101 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
12.4A (Ta), 60A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
3000 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-PQFN (5x6)
Paketti / Kotelo
8-PowerTDFN
