FDMS86200
Active - MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86200 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
9.6A (Ta), 35A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2715 pF @ 75 V
Tehon häviö (enintään)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-PQFN (5x6)
Paketti / Kotelo
8-PowerTDFN
