FDP047N10
Active - MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
FDP047N10 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
15265 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
375W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Paketti / Kotelo
TO-220-3
