FDS2582
Active - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
FDS2582 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
4.1A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1290 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
2.5W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
