FDS3890
Active - MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
FDS3890 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
80V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
4.7A
Rds päällä (max) @ id, vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1180pF @ 40V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
