FDS8949
Active - MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8SOIC
FDS8949 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
6A
Rds päällä (max) @ id, vgs
29mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
955pF @ 20V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
