FDS8984
Active - MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Kuvaus:
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
FDS8984 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
7A
Rds päällä (max) @ id, vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
635pF @ 15V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
