FDT86256
Active - MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
Kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
FDT86256 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
150 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.2A (Ta), 3A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
845mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
73 pF @ 75 V
Tehon häviö (enintään)
2.3W (Ta), 10W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-4
Paketti / Kotelo
TO-261-4, TO-261AA
