FFSD0865B
Active - DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
Kuvaus:
DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK
FFSD0865B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
11.6A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.7 V @ 8 A
Nopeus
No Recovery Time >500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
40 μA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F
336pF @ 1V, 100kHz
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
D-PAK (TO-252)
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 175 ℃
