FQA19N20L
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 25A TO3P
FQA19N20L Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
140mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2200 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-3P
Paketti / Kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
