MSRF860G
Active - DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
MSRF860G Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.7 V @ 8 A
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
120 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
10 μA @ 600 V
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-220-2 Full Pack
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 150 ℃
