NDB6020P
Active - P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
Kuvaus:
P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCEMEN
NDB6020P Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
20 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
24A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4.5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
50mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1590 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
60W (Tc)
Käyttölämpötila
-65 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK (TO-263)
Paketti / Kotelo
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
