NTB13N10
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
NTB13N10 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
13A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
165mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
550 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
64.7W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Paketti / Kotelo
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
