HCT802
Obsolete - MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
Kuvaus:
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
HCT802 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
FET-tyyppi
N and P-Channel
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
90V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2A, 1.1A
Rds päällä (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
70pF @ 25V
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
6-SMD, No Lead
Toimittajan laitepaketti
6-SMD
