1F10
Active - DIODE GEN PURP 1KV 500MA R-1
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 1KV 500MA R-1
1F10 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1000 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
500mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.8 V @ 500 mA
Nopeus
Fast Recovery = 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
300 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
5 μA @ 1000 V
Kapasitanssi @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
R-1, Axial
Toimittajan laitepaketti
R-1
Käyttölämpötila - risteys
-55 ℃ ~ 150 ℃
