RM1002
Active - MOSFET N-CHANNEL 100V 2A SOT23
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 100V 2A SOT23
RM1002 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
220mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
190 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
1.1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
SOT-23
Paketti / Kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
