RM830
Active - MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO220-3
Kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO220-3
RM830 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
900 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
87.5W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220-3
Paketti / Kotelo
TO-220-3
