RT1E040RPTR
Not For New Designs - MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Kuvaus:
MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
RT1E040RPTR Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tuotteen Tila
Not For New Designs
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
30 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
4A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
45mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1000 pF @ 10 V
Tehon häviö (enintään)
550mW (Ta)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-TSST
Paketti / Kotelo
8-SMD, Flat Lead
