Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Integroidut Piirit (IC)  /  Muisti  /  Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT

K3KL6L60GM-MGCT

Active Icon Sampling - IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
K3KL6L60GM-MGCT
K3KL6L60GM-MGCT
Samsung Semiconductor
Valmistaja:
Mfr osa #
Luokka:
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
IC DRAM LPDDR5X 16 Gb 7500 Mbps
 
3D Model Icon

K3KL6L60GM-MGCT Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Luokka
Sarja
-
Pakkaaminen
Tray
Tuotteen Tila
Sampling
Muistin tyyppi
Volatile
Muistin muoto
DRAM
Tekniikka
LPDDR5X
Muistin koko
16 Gb
Muistin organisointi
x32
Muistin liitäntä
Parallel
Kellon taajuus
-
Kirjoitusjakson aika - Word, sivu
-
Käyttöaika
-
Jännite - Syöttö
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
Käyttölämpötila
-25 ~ 85 ℃
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
315 FBGA
Toimittajan laitepaketti
315 FBGA

K3KL6L60GM-MGCT Kuvaus

Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT on edistyksellinen NAND-flash-muistipiiri, joka on suunniteltu erityisesti älypuhelimille, tableteille ja muille mobiililaitteille. Tämä komponentti tarjoaa korkean kapasiteetin ja erinomaisen suorituskyvyn, mikä tekee siitä ihanteellisen valinnan nykyaikaisiin sovelluksiin, joissa tarvitaan nopeaa ja luotettavaa tallennustilaa.

Tekniset tiedot:

1. Kapasiteetti:
- K3KL6L60GM-MGCT tarjoaa 64 Gbit (8 GB) tallennuskapasiteettia, mikä riittää useimmille kuluttajasovelluksille, kuten sovelluksille, peleille ja multimediasisällölle.

2. Muistityyppi:
- Tämä piiri käyttää 3D NAND -teknologiaa, joka parantaa tallennustilan tiheyttä ja suorituskykyä verrattuna perinteisiin 2D NAND-muistipiireihin.

3. Lukunopeus:
- K3KL6L60GM-MGCT:n lukunopeus on tyypillisesti jopa 500 MB/s, mikä mahdollistaa nopean datan siirron ja käyttöliittymän sujuvuuden.

4. Kirjoitusnopeus:
- Kirjoitusnopeus voi olla jopa 200 MB/s, mikä tekee siitä erinomaisen valinnan sovelluksille, jotka vaativat nopeaa tietojen tallennusta.

5. Käyttöliittymä:
- Tämä NAND-flash-muistipiiri tukee eMMC 5.1 -standardia, mikä takaa yhteensopivuuden useiden laitteiden ja järjestelmien kanssa.

6. Käyttölämpötila:
- K3KL6L60GM-MGCT toimii laajalla lämpötila-alueella, tyypillisesti -40 °C:sta +85 °C:seen, mikä tekee siitä soveltuvan vaativiin ympäristöihin.

7. Paketointi:
- Tämä muisti on saatavilla kompaktissa 153-ball BGA-paketissa, mikä helpottaa sen integroimista erilaisiin piirilevyihin ja säästää tilaa.

8. Suojausominaisuudet:
- K3KL6L60GM-MGCT sisältää useita suojausominaisuuksia, kuten virheenkorjauksen (ECC), joka parantaa datan luotettavuutta ja kestävyyttä.

9. Sovellukset:
- Tämä NAND-flash-muistipiiri on erityisesti suunniteltu käytettäväksi älypuhelimissa, tableteissa, digitaalisissa kameroissa ja muissa mobiililaitteissa, joissa tarvitaan nopeaa ja luotettavaa tallennustilaa.

Samsung Semiconductor K3KL6L60GM-MGCT on erinomainen valinta insinööreille ja suunnittelijoille, jotka etsivät tehokasta ja luotettavaa NAND-flash-muistiratkaisua. Sen monipuoliset ominaisuudet ja korkea suorituskyky tekevät siitä kilpailukykyisen vaihtoehdon nykyaikaisilla markkinoilla, ja se soveltuu hyvin erilaisiin tallennussovelluksiin.

K3KL6L60GM-MGCT Varasto: 36040

Historia Hinta
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

K3KL6L60GM-MGCT Liittyvät osat

K3KL3L30CM-JGCT
K3KL5L50CM-BGCU
K3KLALA0CM-MGCT
K3KL3L30CM-BGCT
K3KL3L30DM-BGCU
K3KL6L60GM-MGCT
K3KLELE0DM-BGCU
K3KL3L30QM-JGCT
K3KL4L40DM-BGCU
K3KL5L50QM-JGCT
K3KL5L50CM-BGCT
K3KL1L10GM-JGCT
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *