Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu
/
Integroidut Piirit (IC)
/
Muisti
/ Samsung Semiconductor K4F4E3S4HF-GUCJ
K4F4E3S4HF-GUCJ
Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
Valmistaja:
Samsung Semiconductor
Mfr osa #
K4F4E3S4HF-GUCJ
Luokka:
Muisti
Taulukkonäkymän:
K4F4E3S4HF-GUCJ
Kuvaus:
IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
K4F4E3S4HF-GUCJ Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Luokka
Muisti
Valmistaja
Samsung Semiconductor
Sarja
-
Pakkaaminen
Tray
Tuotteen Tila
Active
Muistin tyyppi
Volatile
Muistin muoto
DRAM
Tekniikka
LPDDR4
Muistin koko
4 Gb
Muistin organisointi
x32
Muistin liitäntä
Parallel
Kellon taajuus
-
Kirjoitusjakson aika - Word, sivu
-
Käyttöaika
-
Jännite - Syöttö
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Käyttölämpötila
-40 ~ 125 ℃
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
200 FBGA
Toimittajan laitepaketti
200 FBGA
K4F4E3S4HF-GUCJ Varasto: 27960
Historia Hinta
0
5.0 / 5.0
K4F4E3S4HF-GUCJ Liittyvät osat
K4F6E3S4HB-KHCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HB-KFCL
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4FBE3D4HM-TFCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GHCL
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GUCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-THCL
Samsung Semiconductor
K4F4E3S4HF-GHCJ
Samsung Semiconductor
K4F2E3S4HA-TFCL
Samsung Semiconductor
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *
Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
