1N1666
Active - DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 500V 275A DO9
1N1666 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
500 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
275A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.3 V @ 300 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
75 μA @ 500 V
Paketti / Kotelo
DO-205AB, DO-9, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-9
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 190 ℃
