1N413RB
Active - DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO8
Kuvaus:
DIODE GEN PURP REV 200V 100A DO8
1N413RB Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Standard, Reverse Polarity
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
100A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.2 V @ 200 A
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
50 μA @ 200 V
Paketti / Kotelo
DO-205AA, DO-8, Stud
Toimittajan laitepaketti
DO-8
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 200 ℃
