1N645
Active - DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
Kuvaus:
DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35
1N645 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
225 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
400mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1 V @ 400 mA
Nopeus
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
-
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
200 nA @ 225 V
Kapasitanssi @ Vr, F
15pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
DO-204AH, DO-35, Axial
Toimittajan laitepaketti
DO-35
Käyttölämpötila - risteys
-65 ℃ ~ 175 ℃
