2N5116

Active - P-CHANNEL MOSFET TO-18
Kuvaus:
P-CHANNEL MOSFET TO-18
2N5116 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Jännite - Erittely (V(BR)GSS)
30 V
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
600 mV
Virta - Tyhjennys (Idss) @ Vds (Vgs=0)
-
Virrankulutus (Id) - Max
-
Jännite - Katkaisu (VGS pois päältä) @ Id
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 15V
Vastus - RDS(päällä)
150 Ohms
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Toimittajan laitepaketti
TO-18