2N6660
Active - MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Kuvaus:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
2N6660 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
60 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.1A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
5V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
50 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
6.25W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-39
Paketti / Kotelo
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
