IRF640FP
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Kuvaus:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
IRF640FP Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
200 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1560 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
40W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Paketti / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
