L6389ED
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Kuvaus:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389ED Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Ohjattu konfigurointi
Half-Bridge
Kanavan tyyppi
Independent
Portin tyyppi
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Jännite - Syöttö
17V (Max)
Logiikkajännite - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Virta - huipputeho (lähde, nielu)
400mA, 650mA
Syötteen tyyppi
Inverting
Korkea sivujännite - Max (Bootstrap)
600 V
Nousu-/laskuaika (tyyppi)
70ns, 40ns
Käyttölämpötila
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
