Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - FET:t, MOSFETit - RF  /  STMicroelectronics PD20010-E

PD20010-E

Active Icon Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010-E
PD20010-E
STMicroelectronics
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
 
3D Model Icon

PD20010-E Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Valmistaja
Sarja
-
Pakkaaminen
Tube
Tuotteen Tila
Obsolete
Transistorin tyyppi
LDMOS
Taajuus
2GHz
Voitto
11dB
Jännite - Testi
13.6 V
Nykyinen luokitus (ampeeria)
5A
Melun luku
-
Virta - Testi
150 mA
Teho - Lähtö
10W
Jännite - Luokiteltu
40 V
Asennustyyppi
-
Paketti / Kotelo
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Toimittajan laitepaketti
PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Varasto: 12820

Historia Hinta
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

PD20010-E Liittyvät osat

PD20010-E
PD20010S-E
PD20010STR-E
PD20010TR-E
PD20015-E
PD20015S-E
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *