STB18NM80
Active - MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
STB18NM80 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2070 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
D2PAK (TO-263)
Paketti / Kotelo
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
