STD100N10F7
Active - MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Kuvaus:
MOSFET N CH 100V 80A DPAK
STD100N10F7 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Sarja
DeepGATE, STripFET VII
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
4369 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
120W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
;;2.jpg)
