STFU6N65
Obsolete - MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
STFU6N65 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
463 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
620mW (Ta), 77W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TA)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220FP
Paketti / Kotelo
TO-220-3 Full Pack
