Luokat
Uutuudet
Laadunvalvonta
Arvion
Kotisivu  /  Erilliset Puolijohteet  /  Transistorit - IGBT:t - Yksittäiset  /  STMicroelectronics STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

Active Icon Active - TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGD6M65DF2
STGD6M65DF2
STMicroelectronics
Valmistaja:
Mfr osa #
Taulukkonäkymän:
Kuvaus:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
 
3D Model Icon

STGD6M65DF2 Spesifikaatio

Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Valmistaja
Sarja
M
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tuotteen Tila
Active
IGBT-tyyppi
Trench Field Stop
Jännite - kollektorin emitterin rikkoutuminen (max)
650 V
Virta - Kollektori (Ic) (enintään)
12 A
Virta - Kollektorin pulssi (Icm)
24 A
Vce(päällä) (enintään) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 6A
Teho - Max
88 W
Energian kytkeminen
36μJ (on), 200μJ (off)
Syötteen tyyppi
Standard
Portin maksu
21.2 nC
Td (päälle/pois) @ 25°C
15ns/90ns
Testin kunto
400V, 6A, 22Ohm, 15V
Käänteinen palautumisaika (trr)
140 ns
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / Kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK

STGD6M65DF2 Varasto: 26020

Historia Hinta
$1.51000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars

STGD6M65DF2 Liittyvät osat

STGB10NB37LZ
STGB10NC60KDT4
STGB14NC60KDT4
STGB10NC60KT4
STGB10M65DF2
STGB12NB60KDT4
STGB14NC60KT4
STGWT60H60DLFB
STGB10NB40LZT4
STGB10H60DF
STGYA50H120DF2
STGB10NB60ST4
Pyydä Tarjous
Tuotenumero *
Valmistaja
Yhteyshenkilö *
Sähköpostiosoite *
Tiedustelun Määrä *
Toimitusmaa *