STP16N65M2
Active - MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Kuvaus:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
STP16N65M2 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
650 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
718 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
110W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Paketti / Kotelo
TO-220-3
