STP30NF10
Active - MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
STP30NF10 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
45mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
115W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Paketti / Kotelo
TO-220-3
