STP3NB100
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
STP3NB100 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1000 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
700 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
100W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Paketti / Kotelo
TO-220-3
