STP4N150
Active - MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
STP4N150 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1500 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
7Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
160W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-220
Paketti / Kotelo
TO-220-3
