STPSC10H12D
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
Kuvaus:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
STPSC10H12D Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
1200 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.5 V @ 10 A
Nopeus
No Recovery Time >500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
60 μA @ 1200 V
Kapasitanssi @ Vr, F
725pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-220-2
Toimittajan laitepaketti
TO-220AC
Käyttölämpötila - risteys
-40 ℃ ~ 175 ℃
;;2.jpg)
