STPSC4H065D
Active - DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Kuvaus:
DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
STPSC4H065D Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Diodin tyyppi
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC Reverse (Vr) (Max)
650 V
Virta - keskimääräinen tasasuuntainen (Io)
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (enintään) @ jos
1.75 V @ 4 A
Nopeus
No Recovery Time >500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr)
0 ns
Virta - Käänteinen vuoto @ Vr
40 μA @ 650 V
Kapasitanssi @ Vr, F
200pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / Kotelo
TO-220-2
Toimittajan laitepaketti
TO-220AC
Käyttölämpötila - risteys
-40 ℃ ~ 175 ℃
;;2.jpg)
