STU2N80K5
Active - MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
STU2N80K5 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
105 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
45W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Paketti / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
