STU80N4F6
Obsolete - MOSFET N-CH 40V 80A TO251
Kuvaus:
MOSFET N-CH 40V 80A TO251
STU80N4F6 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Sarja
DeepGATE, STripFET VI
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
40 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2150 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
70W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-251 (IPAK)
Paketti / Kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
