STW11NB80
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
Kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
STW11NB80 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
800 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
800mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
190W (Tc)
Käyttölämpötila
150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Paketti / Kotelo
TO-247-3
