STW3N170
Active - MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
Kuvaus:
MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
STW3N170 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
1700 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
13Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Tehon häviö (enintään)
160mW
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Paketti / Kotelo
TO-247-3
