CSD19532Q5B
Active - MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON
CSD19532Q5B Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Pakkaaminen
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
100A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
6V, 10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
4.9mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
4810 pF @ 50 V
Tehon häviö (enintään)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Toimittajan laitepaketti
8-VSON-CLIP (5x6)
Paketti / Kotelo
8-PowerTDFN
