IRFBF20L
Obsolete - MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Kuvaus:
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
IRFBF20L Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
900 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
490 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
I2PAK
Paketti / Kotelo
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
