IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
Kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
250 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
630mA (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
10V
Rds päällä (max) @ id, vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
260 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
1W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
4-HVMDIP
Paketti / Kotelo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
