IRLD120
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Kuvaus:
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IRLD120 Spesifikaatio
Tuotteen Ominaisuus
Määritteen Arvo
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)
100 V
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 °C
1.3A (Ta)
Taajuusmuuttaja Voltage (max Rds päällä, Min Rds päällä)
4V, 5V
Rds päällä (max) @ id, vgs
270mOhm @ 780mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Tulokapasitanssi (Ciss) (enintään) @ Vds
490 pF @ 25 V
Tehon häviö (enintään)
1.3W (Ta)
Käyttölämpötila
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Toimittajan laitepaketti
4-HVMDIP
Paketti / Kotelo
4-DIP (0.300", 7.62mm)
